Unidad de Estado Sólido XPG SX8100, 1 TB, PCIe NVMe M.2 2280
Rendimiento máximo
Estándar PCIe Gen3x4 y NVMe 1.3 : Velocidades de lectura y escritura de hasta 3500/3000 MB por segundo
Flash 3D : Mayor capacidad, eficiencia y durabilidad
M.2 2280 : Admite las plataformas Intel y AMD más recientes
Todo acelerado
Con el almacenamiento en caché SLC y un búfer de caché DRAM, el SX8100 acelera el rendimiento de su PC. Se acabaron las esperas. ¡Acceda rápidamente a los archivos y cargue programas en un abrir y cerrar de ojos!

Larga duración
Flash NAND 3D incluye hasta 4 TB de capacidad y una amplia gama de tecnologías de protección y corrección de datos para aumentar el número total de bytes escritos (TBW, Total Bytes Written).

Protegida y precisa
La unidad de estado sólido SX8100 admite la tecnología de código de corrección de errores de comprobación de paridad de baja densidad (LDPC, Low-Density Parity-Check) para detectar y corregir una gama más amplia de errores de datos. Mientras tanto, la el motor RAID garantizan la seguridad, integridad y durabilidad.

Respaldo de una garantía de 5 años
Todos los componentes de la unidad de estado sólido SX8100 han superado las meticulosas revisiones, pruebas y certificaciones. La unidad de estado sólido SX8100 se entrega con la comodidad de una garantía de 5 años.

Capacidad | 1TB |
Factor de forma | M.2 2280 |
NAND Flash | 3D NAND |
Dimensiones (LA x AN x AL) | 80 x 22 x 3,5mm |
Peso | 8g / 0,28oz |
Interfaz | PCIe Gen3x4 |
Rendimiento (máx.) | Lectura 3500MB/s, escritura 3000MB/s |
Operaciones IOPS de lectura/escritura aleatorias de 4K máximas : 300K/240K IOPS | |
* El rendimiento puede variar en función de la capacidad de la unidad de estado sólido (SSD), el hardware y el software del host, el sistema operativo y otras variables del sistema. | |
Temperatura de funcionamiento | 0 °C – 70 °C |
Temperatura de almacenamiento | -40 °C – 85 °C |
Resistencia a impactos | 1500 G / 0,5 ms |
MTBF | 2 000 000 horas |
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